型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFK50N50

HiPerFET Power MOSFET

HiPerFET™ Power MOSFET Single Die MOSFET Features • International standard packages • Encapsulating epoxy meets UL 94 V-0, flammability classification • miniBLOC with Aluminium nitride isolation • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unc

IXYS

艾赛斯

IXFK50N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

IXFK50N50

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

LITTELFUSE

力特

500V N-Channel MOSFET

文件:222.62 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

500V N-Channel MOSFET

文件:222.62 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

HiPerFET Power MOSFETs

文件:94.62 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS

文件:391.54 Kbytes Page:7 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

IXFK50N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK50N50

  • 功能描述

    MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-16 18:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
02+
TO-264
570
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
24+
TO-3PL
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IXYS
26+
TO-3PL
890000
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务
IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+
TO-3PL
4500
专做原装正品,假一罚百!
IXYS
23+
TO-3PL
63827
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS
22+
TO-264
20000
公司只做原装 品质保障
IXYS
17+
TO-3PL
6200
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3PL
89630
当天发货全新原装现货
IXYS
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十

IXFK50N50数据表相关新闻