型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFK120N30P3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 27mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

IXFK120N30P3

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Polar3™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • Dynamic dv/dt Rating • Avalanche Rated • Fast Intrinsic Diode • Low QG • Low RDS(on) • Low Drain-to-Tab Capacitance • Low Package Inductance Advantages • Easy to Mount • Space Savi

IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Polar3™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • Dynamic dv/dt Rating • Avalanche Rated • Fast Intrinsic Diode • Low QG • Low RDS(on) • Low Drain-to-Tab Capacitance • Low Package Inductance Advantages • Easy to Mount • Space Savi

IXYS

艾赛斯

IXFK120N30P3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFK120N30P3

  • 功能描述

    MOSFET

  • N-Channel

    Power MOSFET w/Fast Diode

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-14 20:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
21+
TO-264
10000
原装现货假一罚十
IXYS
15+
TO-264
3
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
25
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
22+
TO-264
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264
89000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
24+
TO-264
39197
郑重承诺只做原装进口现货
IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+
TO-264
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-264
7000

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