型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFJ13N50

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFET Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Features • Low profile, high power package • Long creep and strike distances • Easy up-grade path for TO-220 designs • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped In

IXYS

艾赛斯

IXFJ13N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

IXFJ13N50

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

Drain Current ID= 13A@ TC=25C

文件:136.32 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:221.76 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

500V N-CHANNEL MOSFET

文件:167.88 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

500V N-CHANNEL MOSFET

文件:178.55 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

13A 500V N-channel enhanced field effect transistor

文件:849.02 Kbytes Page:5 Pages

YFWDIODE

佑风微

IXFJ13N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFJ13N50

  • 功能描述

    MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
69000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IXYS/艾赛斯
2022+
21
全新原装 货期两周
IXYS
22+
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
I3-PAK
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247ISO
32189
原装正品 华强现货
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
25+
TO-3PL
18000
原厂直接发货进口原装
IXYS
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
IXYS/Littelfuse
22+
ISOPLUS247
15800
全新原装正品现货直销
IXYS
25+
TO-247
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

IXFJ13N50数据表相关新闻