型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFH69N30P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=69A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=49mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFH69N30P

PolarHiPerFETPowerMOSFET

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

PolarHiPerFETPowerMOSFET

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IXYS Integrated Circuits Division

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PolarHTPowerMOSFET

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IXYS Integrated Circuits Division

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PolarHTPowerMOSFET

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IXYS Integrated Circuits Division

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IXFH69N30P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH69N30P

  • 功能描述

    MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-21 16:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ixys
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