型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IXFH36N55Q

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 550V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.16Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

IXFH36N55Q

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt

文件:171.95 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFH36N55Q

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 550V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

HiPerFET Power MOSFETs

文件:562.31 Kbytes Page:5 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt

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IXYS

艾赛斯

IXFH36N55Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH36N55Q

  • 功能描述

    MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 11:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS订货
25+23+
TO-247
42387
绝对原装正品全新进口深圳现货
IXYS/艾赛斯
24+
TO247
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
IXYS/艾赛斯
21+
TO-247
10000
原装现货假一罚十
IXYS
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
IXYS
24+
TO-247
139
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
31518
原装正品 可含税交易
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
55250
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
21+
TO247
6000
全新原装 现货 价优
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票

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