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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFH36N55Q2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 550V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c | ISC 无锡固电 |   | |
IXFH36N55Q2 | HiPerFET Power MOSFETs 文件：562.31 Kbytes Page：5 Pages | IXYS | |
IXFH36N55Q2产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFH36N55Q2
- 功能描述
MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-12 20:57:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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TO2473 |
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原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
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TO-247 |
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进口代理
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代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24IXFK27N80Q
IXFK27N80Q，TO-264，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-15
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