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IXFH26N55Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

VDSS = 550 V ID25 = 26 A RDS(on) = 0.23 Ω trr ≤ 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg , High dv/dt Features IXYS advanced low Qg process Low gate charge and capacitances - easier to drive - faster switching International standard packages Lo

IXYS

艾赛斯

IXFH26N55Q

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Littelfuse

力特

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

VDSS = 550 V ID25 = 26 A RDS(on) = 0.23 Ω trr ≤ 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg , High dv/dt Features IXYS advanced low Qg process Low gate charge and capacitances - easier to drive - faster switching International standard packages Lo

IXYS

艾赛斯

IXFH26N55Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH26N55Q

  • 功能描述

    MOSFET 26 Amps 550V 0.23 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
5425
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
55250
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
23+
TO-3P
4000
专做原装正品,假一罚百!
IXYS
24+
TO-3P
4000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
IXYS
24+
TO-247
8866
IXYS
23+
TO-3P
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-3P
7000
IXYS/艾赛斯
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

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