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IXFT26N55Q中文资料

厂家型号

IXFT26N55Q

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2

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFT26N55Q数据手册规格书PDF详情

VDSS = 550 V

ID25 = 26 A

RDS(on) = 0.23 Ω

trr ≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg , High dv/dt

Features

IXYS advanced low Qg process

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

International standard packages

Low RDS (on)

Rated for unclamped Inductive load switching (UIS) rated

Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

IXFT26N55Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFT26N55Q

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

更新时间:2025-12-15 17:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO
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