位置：首页 > IC中文资料第382页 > IXFH230N10T
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFH230N10T | Trench HiperFET Power MOSFET 文件：171.09 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXFH230N10T | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：381.18 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IXFH230N10T | N通道沟槽栅MOSFET | Littelfuse 力特 | | |
Power MOSFETs Single Die MOSFET Power MOSFET Single Die MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features • International standard package • miniBLOC, with Aluminium nitride isolation • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Avalanche rated • Guaranteed FBSO | IXYS 艾赛斯 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 230A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =6.0mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor Drive, DC-DC Converter, Power Switch and Solenoid Drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Standard Size Toggle Switch 文件：2.77001 Mbytes Page：14 Pages | COPAL 尼得科 | |
IXFH230N10T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFH230N10T
- 功能描述
MOSFET 230Amps 100V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
60000 |
||||
24+ |
8866 |
||||||
IXYS/LITTELFUSE |
1922 |
TO-247 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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进口代理
2022-9-1IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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