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IXFH21N50F

HiPerRF Power MOSFETs

HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Features • RF capable MOSFETs • Double metal process for low gate resistance • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance

IXYS

艾赛斯

IXFH21N50F

Switch Mode MOSFETs

LITTELFUSE

力特

HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

艾赛斯

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FUJI

富士通

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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富士通

IXFH21N50F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFH21N50F

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 21:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
04+
TO-247
590
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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TO247
7000
IXYS(艾赛斯)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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