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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXFH110N25T | TrenchHVPowerMOSFETHiPerFET 文件：145.83 Kbytes Page：5 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
TrenchGatePowerHiperFET 文件：191 Kbytes Page：5 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
TrenchGatePowerHiperFET 文件：191 Kbytes Page：5 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
TrenchTMPowerMOSFETsN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated 文件：210.62 Kbytes Page：5 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
IXFH110N25T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFH110N25T
- 功能描述
MOSFET 110 Amps 0V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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IXYS |
TO-247 |
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IXYS |
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TO-247AD(IXFH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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IXYS |
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公司大量全新现货 随时可以发货 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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公司只做原装正品 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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23+ |
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98000 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO247 |
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2023-2-14IXFH46N65X2
进口代理
2022-9-1IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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