位置：首页 > IC中文资料第1844页 > IXFH110N25T
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFH110N25T | TrenchHV Power MOSFET HiPerFET 文件：145.83 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =24mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv | ISC 无锡固电 | | ||
Trench Gate Power HiperFET 文件：191 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Trench Gate Power HiperFET 文件：191 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：210.62 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
IXFH110N25T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFH110N25T
- 功能描述
MOSFET 110 Amps 0V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
25+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
24+ |
N/A |
11368 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
LITTELFUSE/力特 |
25+ |
TO-247 |
32360 |
LITTELFUSE/力特全新特价IXFH110N25T即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
1117+ |
TO247 |
27042 |
原管环保/24 |
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Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
60000 |
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IXYS/Littelfuse |
23+ |
TO-247 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50397 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
IXFH110N25T规格书下载地址
IXFH110N25T参数引脚图相关
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2023-2-14IXFH46N65X2
进口代理
2022-9-1IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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