型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFV110N25TS

Trench Gate Power HiperFET

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IXYS

Trench Gate Power HiperFET

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IXYS

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =24mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

TrenchHV Power MOSFET HiPerFET

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IXYS

TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

IXFV110N25TS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFV110N25TS

  • 制造商

    IXYS

  • 制造商全称

    IXYS Corporation

  • 功能描述

    Trench Gate Power HiperFET

更新时间:2025-8-10 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
22+
PLUS220
25000
只做原装进口现货,专注配单
IXYS
23+
TO220
7000
IXYS
23+
TO-220-3
67986
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
22+
TO2203 Short Tab
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
23+
TO220
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IXYS
25+
PLUSTO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS220
6000
原装正品,支持实单

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