位置：首页 > IC中文资料第9441页 > IXFE180N10
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFE180N10 | HiPerFET-TM Power MOSFET HiPerFET Power MOSFET Single Die MOSFET Features • Conforms to SOT-227B outline • Encapsulating epoxy meets UL 94 V-0, flammability classification • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance • | IXYS |   | |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.98832 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.65918 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
Superior Avalanche Rugged Technology 文件：989.45 Kbytes Page：9 Pages | SEMIHOW | |
IXFE180N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFE180N10
- 功能描述
MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
IXYS |
22+ |
MODULE |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IXYS |
22+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS/艾赛斯 |
18+ |
MODULE |
120 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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IXYS |
10+ |
主营模块 |
85 |
原装正品,公司正品供应 |
|||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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IXYS |
23+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
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进口代理
2022-9-1IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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