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180N10N

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr

Infineon

英飞凌

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

Superior Avalanche Rugged Technology

文件:989.45 Kbytes Page:9 Pages

SEMIHOW

更新时间:2025-8-17 11:10:00
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