| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
180N10N | OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 |   | |
N-Channel Power MOSFET 文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.98832 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.65918 Mbytes Page：7 Pages | FOSTER 福斯特半导体 | | ||
Superior Avalanche Rugged Technology 文件：989.45 Kbytes Page：9 Pages | SEMIHOW | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
IR |
23+ |
180A35VD |
360 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
24+ |
04021210 |
4520 |
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NA |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
百分百原装现货 实单必成 |
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I |
23+ |
TO-252 |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
IR |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
IR |
24+ |
模块 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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INFINEON |
23+ |
TO220M |
7000 |
||||
SENSIT |
24+ |
原厂封装 |
5620 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
模块 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
180N10N规格书下载地址
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2019-11-16
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