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IXDN55N120D1中文资料
IXDN55N120D1数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· Low switching losses
· High short circuit capability
· Optional ultra fast diode
APPLICATIONS
· Space savings
· Easy to mount with 2 screws
· High power density
IXDN55N120D1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXDN55N120D1
- 功能描述
IGBT 晶体管 55 Amps 1200V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-30 14:13:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
6000 |
原装正品现货 |
||||||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1940 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
18+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
IXYS |
23+ |
模块 |
450 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
IXYS |
23+ |
模块 |
3562 |
||||
IXYS |
25+ |
模块 |
3650 |
自家优势产品,欢迎来电咨询! |
|||
IXYS |
23+ |
原厂原装 |
1008 |
全新原装现货 |
|||
IXYS |
2016+ |
SOT-227B |
6523 |
只做进口原装现货!或订货假一赔十! |
|||
IXYS |
2016+ |
SOT-227B |
3000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
IXDN55N120D1 价格
参考价格：￥131.4156
型号：IXDN55N120D1 品牌：IXYS 备注：这里有IXDN55N120D1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXDN55N120D1批发/采购报价，IXDN55N120D1行情走势销售排排榜，IXDN55N120D1报价。
IXDN55N120D1 资料下载更多...
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- 2SK2649
- 601082AS02B300-XAY
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- 601082AS02B300-XSG
- 601082AS02B300-XTS
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- 601082AS02B30-XAY
- 601082AS02B30-XC4
- 601082AS02B30-XPD
- 601082AS02B30-XSG
- 601082AS02B30-XTS
- 601082AS02B30-XTY
- 601082AS02B400-XAY
- 601082AS02B400-XC4
- 833-038-544-802
- 895-038-525-402
- 895-054-542-502
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- P97
- P98
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26547条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
