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IXDN55N120D1中文资料

厂家型号

IXDN55N120D1

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807Kbytes

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3

功能描述

IGBT

IGBT 晶体管 55 Amps 1200V

数据手册

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生产厂商

ISC

IXDN55N120D1数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Low switching losses

· High short circuit capability

· Optional ultra fast diode

APPLICATIONS

· Space savings

· Easy to mount with 2 screws

· High power density

IXDN55N120D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDN55N120D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 55 Amps 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-7-22 16:29:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1940
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS
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模块
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模块
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SOT-227B
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公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
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25+
SOT-227B
18600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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主营模块
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原装正品,公司正品供应
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24+
NA
3509
进口原装正品优势供应
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专业模块
MODULE
8513
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IXDN55N120D1 价格

参考价格:¥131.4156

型号:IXDN55N120D1 品牌:IXYS 备注:这里有IXDN55N120D1多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXDN55N120D1批发/采购报价,IXDN55N120D1行情走势销售排排榜,IXDN55N120D1报价。