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位置：首页 > IC中文资料第1066页 > IXDH35N60B

IXDH35N60B价格

参考价格：￥27.8690

型号：IXDH35N60BD1 品牌：Ixys 备注：这里有IXDH35N60B多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXDH35N60B批发/采购报价，IXDH35N60B行情走势销售排行榜，IXDH35N60B报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXDH35N60B

IGBTwithoptionalDiode

HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXDH35N60B

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXDH35N60BD1

IGBTwithoptionalDiode

HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXDH35N60BD1

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 60A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
FCA35N60

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FCA35N60

600VN-ChannelMOSFET

Description SuperFET™isFarichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Features •650V@TJ=150°C •Typ.RDS(on)=0.079Ω •Ultralow

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
35N60A

35A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件：851.66 Kbytes Page：5 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
DAM35N60F

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件：260.05 Kbytes Page：4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO
DAM35N60H

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件：243.21 Kbytes Page：4 Pages

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DACO

IXDH35N60B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXDH35N60B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 35 Amps 600V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXDH35N60B供应商更多...

更新时间：2025-8-1 9:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
IXDH35N60B
IXYS
22+
TO247AD (IXDH)
9000
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深圳市创新迹电子有限公司
IXDH35N60B
IXYS/艾赛斯
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TO-247
25000
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IXDI402PI
IXYS
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DIP8
20000
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深圳市赛美科科技有限公司
IXDI402PI
IXYS
DIP8
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IXDI402PI
IXYS
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50000
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IXDI402PI
IXYS
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IXDI402PI
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IXDH35N60B
IXYS
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TO-247-3
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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