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IXDH35N60BD1价格
参考价格：￥27.8690
型号：IXDH35N60BD1 品牌：Ixys 备注：这里有IXDH35N60BD1多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXDH35N60BD1批发/采购报价，IXDH35N60BD1行情走势销售排行榜，IXDH35N60BD1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXDH35N60BD1 | IGBT with optional Diode High Speed, Low Saturation Voltage Features ● NPT IGBT technology ● low switching losses ● low tail current ● no latch up ● short circuit capability ●positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input, voltage controlled ● optional ultra fast diode ● International standard | IXYS 艾赛斯 |   | |
IXDH35N60BD1 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 60A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS 艾赛斯 | | |
IXDH35N60BD1 | NPT 标准 IGBT | LITTELFUSE 力特 | | |
IGBT with optional Diode High Speed,Low Saturation Voltage Features ● NPT IGBT technology ● low switching losses ● low tail current ● no latch up ● short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input, voltage controlled ● optional ultra fast diode ● | IXYS 艾赛斯 | |
IXDH35N60BD1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXDH35N60BD1
- 功能描述
IGBT 晶体管 35 Amps 600V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
SOP-8 |
13718 |
只做原装 公司现货库存 |
|||
IXYS |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
IXYS |
1534 |
DIP8 |
27 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IXYS/艾赛斯 |
2026+ |
DIP8 |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
IXYS |
24+ |
DIP8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS |
DIP8 |
1738 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXDH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS |
23+ |
DIP8 |
397 |
IXDH35N60BD1规格书下载地址
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2022-5-27IXDD614YI
IXDD614YI，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-16IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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