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ISL6616WR5626	Renesas Electronics America In A/N	NI National Instruments Inc. 相关企业：深圳市保之丰科技有限公司
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ISL6616WR5626	Renesas Electronics America In A/N	AMEAnalogMicroElectronics，Inc. 安茂安茂微电子相关企业：深圳市保之丰科技有限公司
ISL6616WR5626	Renesas Electronics America In A/N	eneENE TECHNOLOGY INC. 迅杰科技股份有限公司相关企业：深圳市保之丰科技有限公司
ISL6616WR5626	Renesas Electronics America In A/N	NICNIC Components Corporation NIC元件股份有限公司相关企业：深圳市保之丰科技有限公司
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更新时间：2024-6-5 17:41:01

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ISL6617AFRZ-TPWM倍增器
2021-4-10
ISL6721AARZ-T 全新原装现货
ISL6721AARZ-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-12-5
ISL6614-先进的同步整流降压双MOSFET驱动器的保护功能...
先进的同步整流双降压MOSFET驱动器与保护特点ISL6613的ISL6614集成了两个MOSFET驱动器，专门用来驱动两个独立的电源在多相位交错式降压转换器通道拓扑。与HIP63xx或ISL65xx结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET的形式完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。在上下两个闸驱动器ISL6614同时在一个范围从5V至12V。这drivevoltage提供必要的灵活性，以优化栅极电荷和应用之间涉及权衡传导损耗。一种先进的自适应零直通保护同时整合，以防止上下的MOSFET从同时进行，并尽量减少死人时间
2013-3-1
ISL6596-同步整流MOSFET驱动器...
同步整流MOSFET驱动器该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化在同步驱动两个N沟道功率MOSFET降压转换器。与Intersil的结合此驱动程序多相降压PWM控制器，形成一个完整的单级核心电压，高效率稳压器解决方案在高开关频率性能先进微处理器。该IC是由一个单一的低偏置电压（5V时），尽量减少开关损耗高驱动MOSFET栅极电容和高开关频率的应用。每个驱动器是驾驶不到第三范式负载的能力10ns的上升/下降时间。上层栅极驱动器自举是通过实施内部低正向压降二极管，降低实施成本，复杂性，并允许使用性能更高，成本效益的N沟道的MOSFET。自适应击穿保护集成为了防止同时进行
2013-3-1
ISL6580-集成功率级
集成功率级1GHz以上的处理器，操作要求快速，智能电力系统。该ISL6580集成功率级是一个高侧FET/驱动器组合，可提供高电流每个转换器相能力在高开关频率。该芯片集成了情报，提供快速的瞬态响应和数字通信的ISL6590数字控制器。ISL6580集成了主要的功率级快速功率输出元件，有效散热设计并增加抗噪声性能。它集成了一个综合P沟道高侧MOSFET，高边MOSFET驱动器和一名司机外部同步整流，低侧的MOSFET。ISL6580还提供了一个窗口比较器提供快速瞬态响应以及板上的电压和当前的A/D转换器，智能数字通信和控制的ISL6590控制器。此外，通过通讯总线，配置
2013-3-1
ISL6700-80V/1.25A山顶，中频，低成本，半桥式驱动器...
ISL6700是一个80V/1.25A的高峰，中频，低成本，半桥驱动器IC采用8引线SOIC封装和12引脚QFN塑料封装。低端和高端栅极驱动器可以独立控制和匹配25ns的。这使得在死时用户最大的灵活性选择和驱动程序的协议。欠压保护无论是低端和高端电源的输出力低。非闭锁，电平转换翻译是用来控制上驱动电路。不像一些竞争对手，高边输出返回到正确的状态后，一时欠压的高端电源。特点•驱动器2在半桥式N通道MOSFET配置•节省空间的SO8封装和低速RC-S的QFN封装•三相电源最大电压80VDC
2013-2-28

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