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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：127.64 Kbytes Page：10 Pages | ISSI 矽成半导体 |   | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ISSI |
25+ |
SOJ |
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ISSI |
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ISSI |
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SOJ32 |
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ISSI |
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ISSI |
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SOP |
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ISSI |
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SOJ |
8000 |
原装正品支持实单 |
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ISSI |
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SOJ |
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常备大量现货,原装正品 |
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ISSI |
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PLCC |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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ISSI |
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SOJ |
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2023-10-10ISL6205-高电压同步整流降压MOSFET驱动器
高电压同步整流降压MOSFET驱动器 该ISL6205是一种高电压，高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个N沟道以同步整流降压转换器的功率MOSFET拓扑结构，移动计算应用。此驱动程序结合Intersil公司的ISL6223或其他多相降压PWM控制器形成了一个完整的单阶段的核心电压稳压器解决方案先进移动微处理器。该ISL6205允许用户选择一个门电压范围从5V至为在12V的同步MOSFET的低整流降压转换器。使用12V的栅极电压降低的RDS（ON）和在MOSFET的传导损耗。该门上需要运行在5V。 该ISL6
2013-3-1ISL6160-InfiniBand的+12 V的体积和+5 V辅助电源控制器
InfiniBand的+12 V电源和+5 V辅助散装电源控制器 该ISL6160是设计独特的电源解决要求的InfiniBand（IB）的行业倡议同时提供了VB（散装）独立的电源控制（+12 V）和弗吉尼亚州（辅助）（+5 V）功率轨单一端口。该装置可以实现在两个兴业I类（非隔离）和二级（隔离）电源拓扑结构的应用程序。该ISL6160，以及一个N沟道功率MOSFET和被动元件数量最少提供软双方的VB和弗吉尼亚州的一个IB电压斜坡起动模块。它还提供了准确和一致的电流一段时间内决定之前稳压输出闭锁中的过流（OC）存在的条件下关闭。此外，ISL6160提供使能信号的关于模块的DC -
2013-2-14ISL6115-配电控制器
这个系列的全功能的热插拔电源控制器在+2.5 V至+12 V范围内的目标应用。 “ISL6115，ISL6116为+5 V，+12 V控制ISL6117为+3.3 V和2.5 V控制ISL6120应用。每个人都有一个硬连接的欠压（UV）监测和报告的阈值水平约80％上述电压。ISL6115具有一个集成的电荷泵允许控制至+16 V导轨，使用一个外部N沟道而其他设备中的MOSFET利用+12 V偏压电压，以全面提升的N沟道FET。所有IC具有可编程的过流（OC）检测，电流调控的时间延迟（CR），锁断，软启动。目前的监管水平是通过2个外部电阻设置;RISET设置的CR Vth的，另一种是低电阻感元素跨
2013-1-6ISL6140-负电压热插拔控制器
ISL6140是一个8针，负电压热插件控制器允许电路板安全地插入和删除从带电背板。浪涌电流限制在一个可编程外部控制栅极电压值N -沟道晶体管。通晶体管处于关闭状态，如果输入电压低于欠压阈值，或大于过压阈值。一个可编程电子断路器保护对短裤的系统。主动式低PWRGD信号，可用于直接启用电源模块（低使能输入） •低压侧外部nFET开关 •经营从- 10V- 80V（- 100V绝对最大额定值）或+10 V至+80 V（100 V绝对最大额定） •可编程浪涌电流 •
2013-1-5ISL6211-克鲁索⑩处理器核心电压稳压
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