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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -40A, RDS(ON) = 19mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 25mW @VGS = -4.5V. | CET-MOS 华瑞 |   | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant. | CET-MOS 华瑞 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -40A, RDS(ON) = 19mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 25mW @VGS = -4.5V. | CET-MOS 华瑞 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant. | CET-MOS 华瑞 | | ||
High-Speed USB and Audio DPDT Switch 文件：528.05 Kbytes Page：10 Pages | AOSMD 万国半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CET |
23+ |
TO-251 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
CET |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-252 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
CET |
25+ |
TO-251 |
1890 |
原装正品,假一罚十! |
|||
PHI |
24+ |
TSSOP |
6618 |
公司现货库存,支持实单 |
|||
CET/華瑞 |
23+ |
TO-251 TO-252 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
CET |
TO-251 |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
CET |
25+ |
TO-251 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2023-10-10ISL6205-高电压同步整流降压MOSFET驱动器
高电压同步整流降压MOSFET驱动器 该ISL6205是一种高电压，高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个N沟道以同步整流降压转换器的功率MOSFET拓扑结构，移动计算应用。此驱动程序结合Intersil公司的ISL6223或其他多相降压PWM控制器形成了一个完整的单阶段的核心电压稳压器解决方案先进移动微处理器。该ISL6205允许用户选择一个门电压范围从5V至为在12V的同步MOSFET的低整流降压转换器。使用12V的栅极电压降低的RDS（ON）和在MOSFET的传导损耗。该门上需要运行在5V。 该ISL6
2013-3-1ISL6160-InfiniBand的+12 V的体积和+5 V辅助电源控制器
InfiniBand的+12 V电源和+5 V辅助散装电源控制器 该ISL6160是设计独特的电源解决要求的InfiniBand（IB）的行业倡议同时提供了VB（散装）独立的电源控制（+12 V）和弗吉尼亚州（辅助）（+5 V）功率轨单一端口。该装置可以实现在两个兴业I类（非隔离）和二级（隔离）电源拓扑结构的应用程序。该ISL6160，以及一个N沟道功率MOSFET和被动元件数量最少提供软双方的VB和弗吉尼亚州的一个IB电压斜坡起动模块。它还提供了准确和一致的电流一段时间内决定之前稳压输出闭锁中的过流（OC）存在的条件下关闭。此外，ISL6160提供使能信号的关于模块的DC -
2013-2-14ISL6115-配电控制器
这个系列的全功能的热插拔电源控制器在+2.5 V至+12 V范围内的目标应用。 “ISL6115，ISL6116为+5 V，+12 V控制ISL6117为+3.3 V和2.5 V控制ISL6120应用。每个人都有一个硬连接的欠压（UV）监测和报告的阈值水平约80％上述电压。ISL6115具有一个集成的电荷泵允许控制至+16 V导轨，使用一个外部N沟道而其他设备中的MOSFET利用+12 V偏压电压，以全面提升的N沟道FET。所有IC具有可编程的过流（OC）检测，电流调控的时间延迟（CR），锁断，软启动。目前的监管水平是通过2个外部电阻设置;RISET设置的CR Vth的，另一种是低电阻感元素跨
2013-1-6ISL6140-负电压热插拔控制器
ISL6140是一个8针，负电压热插件控制器允许电路板安全地插入和删除从带电背板。浪涌电流限制在一个可编程外部控制栅极电压值N -沟道晶体管。通晶体管处于关闭状态，如果输入电压低于欠压阈值，或大于过压阈值。一个可编程电子断路器保护对短裤的系统。主动式低PWRGD信号，可用于直接启用电源模块（低使能输入） •低压侧外部nFET开关 •经营从- 10V- 80V（- 100V绝对最大额定值）或+10 V至+80 V（100 V绝对最大额定） •可编程浪涌电流 •
2013-1-5ISL6211-克鲁索⑩处理器核心电压稳压
ISL6211是一个单输出电源控制器电源Transmeta的Crusoe™CPU的核心。 ISL6211包括一个5位数字 - 模拟转换器（DAC），调整的核心PWM输出电压0.6VDC至1.75VDC。该DAC设置在操作过程中可能会改变。特别采取措施，让这样一个过渡控制压摆率，符合Transmeta公司的龙润™技术。一个精确的参考和专有架构提供优异的综合补偿静态和动态的核心电压调节。在额定电流，控制器运行在一个可选择的频率为300kHz或600kHz。当滤波电感电流变得不连续的，控制器工作在迟滞模式，极大地提高系统的效率。迟滞的操作模式，可以抑制由指定的控制引脚。ISL
2012-12-1
DdatasheetPDF页码索引
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