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IS43TR16640BL

Programmable CAS Latency

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ISSI

北京矽成

封装/外壳:96-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:96-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V ● High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz ● 8 internal banks for concurrent operation ● 8Bits pre-fetch architecture ● Programmable CAS Latency: 5

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北京矽成

更新时间:2025-8-12 13:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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