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IS43DR81280A

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

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矽成半导体

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

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矽成半导体

封装/外壳:60-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4-bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency-1  Programmable Burst Sequence: Sequential o

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矽成半导体

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矽成半导体

Differential data strobe

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矽成半导体

更新时间:2026-3-2 23:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装ISSI
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ISSI/矽成
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DDR2SDRAM/128MX8DDR2/DDR
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原装香港现货真实库存。低价

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