型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS42S16100C1-7TLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

DESCRIPTION ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100C1 is organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. FEATURE

ISSI

矽成半导体

IS42S16100C1-7TLI

封装/外壳:50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

IS42S16100C1-7TLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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封装/外壳:50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 集成电路(IC) 存储器

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512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

DESCRIPTION ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100C1 is organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. FEATURE

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矽成半导体

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矽成半导体

IS42S16100C1-7TLI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S16100C1-7TLI

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 16M 1Mx16 143Mhz

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-28 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
24+
NA/
3260
原装现货,当天可交货,原型号开票
ISSI
2016+
TSSOP50
499
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ISSI
22+
TSSOP50
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ISSI
25+
TSSOP50
54658
百分百原装现货 实单必成
ISSI
24+
TSOP
990000
明嘉莱只做原装正品现货
ISSI
23+
SOP
20000
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全
ISSI
06+04+
TSSOP50
564
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ISSI
23+
TSOP
9231
ISSI
24+
SOP
30617
主打ISSI品牌价格绝对优势
ISSI
24+
TSOP
13718
只做原装 公司现货库存

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