型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS42S16100C1-7B

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

文件:912.12 Kbytes Page:81 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S16100C1-7B

封装/外壳:60-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

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封装/外壳:60-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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矽成半导体

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

DESCRIPTION ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100C1 is organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. FEATURE

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矽成半导体

IS42S16100C1-7B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S16100C1-7B

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 16M 1Mx16 143Mhz

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-2 10:46:00
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