型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Advanced Power MOSFET

BVDSS = 200 V RDS(on) = 0.8 Ω ID = 4.1 A FEATURES ● Logic-Level Gate Drive ● Avalanche Rugged Technology ● Rugged Gate Oxide Technology ● Lower Input Capacitance ● Improved Gate Charge ● Extended Safe Operating Area ● Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 200V ● Lower RDS(ON) : 0

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Advanced Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

SuperSOT??80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR

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Zetex

Low Profile

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OSCILENT

DC axial fans

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EBMPAPST

依必安派特

DC axial fans

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EBMPAPST

依必安派特

DC axial fans

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EBMPAPST

依必安派特

IRLS620产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRLS620

  • 功能描述

    MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-28 11:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
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