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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRL3803STRRPBF | Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides | IRF |   | |
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(QzROM version) Standard Characteristics 文件：244.39 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
IRL3803STRRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRL3803STRRPBF
- 功能描述
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
IR |
24+ |
TO263 |
865 |
||||
IR |
/ |
卷盘 |
91 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
2406+ |
TO263 |
8650 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
5715 |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
|||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
IR |
26+ |
TO263 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
20000 |
原装正品,假一罚十 |
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- IRL540S
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2019-5-8
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