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IRL1104SPBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS = 40V RDS(on) = 0.008Ω ID = 104A… Description Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged

IRF

MMCX RIGHT ANGLE PLUG CRIMP

ELECTRICAL: IMPEDANCE: 50 OHMS. WITHSTAND VOLTAGE: 500V FREQUENCY RANGE: 0 - 6 GHz. VSWR: ≤ 1.50 @ 0-6 GHz. DURABILITY: ≥ 500 CYCLE CABLE RETENTION: > 10 POUNDS MISCELLANEOUS: APPLICATION: LOW-LOSS 100 SERIES, RG174, RG316, RG188, & RG179. COMPONENTS SHALL BE INDIVIDUALLY PACKAGED IN ACCO

L-COM

英飞畅

Original Strain Relief Bushings

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Heyco

CAROL STREAM, ILLINOIS 60188

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Heyco짰 Original Strain Relief Bushings

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TORQUE PRODUCTS

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IRL1104SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL1104SPBF

  • 功能描述

    MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-25 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-263
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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