IRL2203NPBF公司大量原装正品现货/长期供应

发布企业:深圳市粤骏腾电子科技有限公司时间:2019-5-8 14:56:00

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IRL2203NPBF公司大量原装正品现货/长期供应

IRL2203NPBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 16 V

Qg-栅极电荷: 40 nC

Pd-功率耗散: 130 W

配置: Single

封装: Tube

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

零件号别名: SP001573688

单位重量: 6

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A??

IRF

International Rectifier

IRF

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A??

IRF

International Rectifier

IRF

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A??

IRF

International Rectifier

IRF

HEXFET? Power MOSFET

IRF

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Advanced Process Technology

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International Rectifier

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HEXFET? Power MOSFET

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Advanced Process Technology

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2025-8-3 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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