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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRGPH50 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT FAST 1200V 45A TO-247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
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IRGPH50产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGPH50
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IR |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
TO247AC |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
2018+ |
SMD |
20000 |
一级代理原装现货假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
TO-3P |
18000 |
||||
IR |
2020+ |
TO-247 |
12 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
23+ |
TO-247 |
3000 |
全新原装 |
|||
IR |
2017+ |
TO3P |
42589 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
IR |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
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IRGPH50参数引脚图相关
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- IRH4150
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- IRGR3B60KD2
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2019-5-8
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