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IRGPH50MD2	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A) Description Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, applications. These new short	IRF	IRF
IRGPH50MD2	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRGPH50MD2	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRGPC50MD2	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A) Description Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, applications. These new short	IRF	IRF
IRGPC50MD2	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF

类型
描述
型号
IRGPH50MD2
制造商
IRF
制造商全称
International Rectifier
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)

IRGPH50MD2供应商更多...

更新时间：2026-8-2 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	IRG1330U	IR	2016+	TO220	6000	公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRG2511Q	IR	24+	TO-3P	1070		询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	IRG1330U	IR	26+	SOD123W	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRGPH50MD2-E	IR	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRGPH50MD2-E	IR	23+	TO-3P	7000		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IRG1330U	原装	最新	TO220	8900	公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRGPH50MD2	IR	22+	TO-247	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRGPH50MD2	IR	26+	TO-247	35890	代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRG1330U	IR	25+	TO220	18600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRGPH50MD2	IR	23+	TO-247	12300	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

IRL1404ZPBF 大功率 MOS 管 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、电池保护、开关电源、电动工具、大功率负载开关
IRL1404ZPBF 是英飞凌 / IR 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用逻辑电平驱动，适合低压大电流开关应用，为工业级标准器件。
2026-4-16
IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF
2023-12-11
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12
IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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2019-5-8