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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=39A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileat thesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpower MOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahosto | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V,Ic=39A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=41A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT W/DIODE 600V 70A TO-247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
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封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT UFAST 600V 55A TO-247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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IRGPC50产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGPC50
- 功能描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 55A I(C) | TO-247AC
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
ADI |
2022+ |
QFN |
6000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
IR |
03+ |
TO-247 |
107 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
TO247AC |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
03+ |
TO-247 |
107 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
23+ |
TO-247 |
35890 |
||||
IR |
06+ |
TO-3P |
24 |
||||
IR |
TO-247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
||||
IR |
23+ |
管3P |
18000 |
||||
IR |
1746+ |
TO247 |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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IRGP4266D-EPBF
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2023-12-11IRG4PC50WPBF
属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
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IRL2203NPBF厂家：IR封装：TO-220现货热卖原厂原包装，只做原装，假一赔万!!!欢迎致电上海意淼张小姐18301798078021-61316368QQ:2719102545
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2019-5-8
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