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InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

•VCES=650V •IC=40A,TC=100°C •tSC≥5.5µs,TJ(max)=175°C •VCE(ON)typ.=1.7V@IC=24A Applications •IndustrialMotorDrive •UPS

IRFInternational Rectifier

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IRF

CLEARTHRU-HOLESPACER

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KEYSTONE

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万国半导体美国万国半导体

AOSMD

HighPowerT-1쩐(5mm)AlGaAs/GaAsInfrared(940nm)Lamp

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AVAGOAvago

安华高安华高科技

AVAGO
更新时间:2024-5-31 18:35:01
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