IRGP4063DPBF价格

参考价格:¥32.7291

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRGP4063DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • Maximum Junction temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for 4X rated current (ILM) • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery C

IRF

IRGP4063DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRGP4063DPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH 600V 96A TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

14-bit, 500 MSa/s, 512k point (Ch2 only) arbitrary waveform generator

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

HIGH VACUUM CATHODE RAY TUBES

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

HIGH VACUUM CATHODE RAY TUBES

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Dual Channel Function/Arbitrary Waveform Generators

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BK

B&K Precision Corporation

HIGH VACUUM CATHODE RAY TUBES

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未分类制造商

IRGP4063DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP4063DPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch Appliance motion app

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-29 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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