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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low

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AOSMD

万国半导体

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AOSMD

万国半导体

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGP30B60KD-MP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP30B60KD-MP

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    IGBT COPAK-247 - Rail/Tube

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    SEMICONDUCTOR OTHER

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    600V UltraFast 5-40kHz Copack IGBT

更新时间:2026-3-1 9:12:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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