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IRGBF30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

IRGBF30F

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IRF

IRGBF30F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGBF30F

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A)

更新时间:2025-10-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
3264
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
IR
23+
TO-220
7000
IR
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
INTERNATIONA
05+
原厂原装
7990
只做全新原装真实现货供应
IR
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
IR
16+
TO-220
10000
全新原装现货

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