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IRGBF20F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

IRGBF20F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRF

IRGBF20F

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT FAST 900V 20A TO-220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRGBF20F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGBF20F

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    Fit Rate/Equivalent Device Hours

更新时间:2025-10-4 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO 220
161054
明嘉莱只做原装正品现货
IR
23+
TO-220
9888
专做原装正品,假一罚百!
IR
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
ir
2023+
原厂封装
50000
原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
ir
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单

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