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IRGBF20F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

IRGBF20F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRF

IRGBF20F

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT FAST 900V 20A TO-220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRGBF20F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGBF20F

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    Fit Rate/Equivalent Device Hours

更新时间:2025-11-27 18:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ir
25+
500000
行业低价,代理渠道
IR
23+
TO-220
9888
专做原装正品,假一罚百!
IR
24+
TO 220
161054
明嘉莱只做原装正品现货
ir
2023+
原厂封装
50000
原装现货
INTERNATIONA
05+
原厂原装
4266
只做全新原装真实现货供应
ir
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
IR
24+
NA/
3264
原装现货,当天可交货,原型号开票

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