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IRGBC30S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

IRGBC30S

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IRF

IRGBC30S

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT STD 600V 34A TO-220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRGBC30S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)

Infineon

英飞凌

IRGBC30S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGBC30S

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A)

更新时间:2025-11-21 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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