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IRGB4045DPBF价格
参考价格：￥8.0765
型号：IRGB4045DPBF 品牌：International 备注：这里有IRGB4045DPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGB4045DPBF批发/采购报价，IRGB4045DPBF行情走势销售排行榜，IRGB4045DPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRGB4045DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：781.36 Kbytes Page：10 Pages | IRF |   | |
IRGB4045DPBF | Low Switching Losses 文件：387.46 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | |
IRGB4045DPBF | 封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 12A 77W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | |
Low Switching Losses 文件：387.46 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM ① • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Aut | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM ① • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Aut | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM ① • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Aut | IRF | | ||
800 TO 4000 MHz TO-8 CASCADABLE AMPLIFIER 文件：179.68 Kbytes Page：2 Pages | TELEDYNE 华特力科 | | ||
STM32F3 series in-application programming 文件：391.96 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
IRGB4045DPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGB4045DPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
23+ |
TO-220 |
8560 |
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