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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low | IRF |   | ||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220-3 |
79 |
||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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INFINEON |
24+ |
TO-220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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Infineon |
24+ |
NA |
3412 |
进口原装正品优势供应 |
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IR |
18+ |
TO-220 |
230 |
原装正品 可含税交易 |
|||
IR |
24+ |
NA |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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IR |
24+ |
65230 |
|||||
International Rectifier |
2022+ |
1525 |
全新原装 货期两周 |
||||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
24+ |
TO220 |
60000 |
全新原装现货 |
IRGB30B60S规格书下载地址
IRGB30B60S参数引脚图相关
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2023-12-11IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能 科技有限公司
2021-11-23IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2019-5-8
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