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IRG7S313UPBF

PDPTRENCHIGBT

Description ThisIGBTisspecificallydesignedforapplicationsinPlasmaDisplayPanels.ThisdeviceutilizesadvancedtrenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSETMratingpersiliconareawhichimprovepanelefficiency.Additionalfeaturesare150°Coperatingjunctiontemperatur

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

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IRG7S313UPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG7S313UPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 330V PDP TRENCH IGBT Ultrafast 8 - 30 kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-17 17:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
22+
NA
2118
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IR
TO263
56520
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31200
原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367
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TO-263
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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NA/
6005
原装现货,当天可交货,原型号开票
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21+
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