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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) • Zero VCE(on) temperature coefficient • 3us Short Circuit Capability • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Square RBSOA Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control Applications • Rugged Transient Performance • Low EMI Applications • Air Conditioner Com

IRF

\u0002\u0003\u0004\u0005\u0006\u0007\bINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-4 23:00:00
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