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位置：首页 > IC中文资料第3029页 > IRG7PH35UPBF

IRG7PH35UPBF价格

参考价格：￥21.1746

型号：IRG7PH35UPBF 品牌：International 备注：这里有IRG7PH35UPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG7PH35UPBF批发/采购报价，IRG7PH35UPBF行情走势销售排行榜，IRG7PH35UPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG7PH35UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range

IRF

IRG7PH35UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：379.97 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG7PH35UPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 55A 210W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG7PH35UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：379.97 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG7PH35UD-EP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Ultra fast soft recovery co-pak diode • Tight parameter distribution • Lead-Free Benefits • High efficiency in a wide ra

IRF

IRG7PH35UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Ultra fast soft recovery co-pak diode • Tight parameter distribution • Lead-Free Benefits • High efficiency in a wide ra

IRF

IRG7PH35U-EP

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range

IRF

IRG7PH35UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG7PH35UPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG7PH35UPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 55A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IRG7PH35UPBF供应商更多...

更新时间：2025-10-28 9:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRG7PH35UPBF
IR(国际整流器)
24+
NA/
8735
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
IRG7PH35UPBF
IR
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70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
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上海市鑫鸿达电子
IRG7PH35UPBF
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
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深圳市威尔健半导体有限公司
IRG7PH37K10DPBF
IR
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
IRG7PH35UPBF
INFINEON/IR
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深圳市勤思达科技有限公司
IRG7PH35UPBF
IR
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全新原装正品,现货销售
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深圳市河锋鑫科技有限公司
IRG7PH35UPBF
Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原厂渠道,现货配单
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深圳市亿智腾科技有限公司
IRG7PH35UPBF
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IRG7PH37K10D-E
INFINEON/英飞凌
23+
TO247
28888
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
千层芯半导体(深圳)有限公司
IRG7PH35UPBF
VISHAY
24+
TO-247
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
询价

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