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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG7IA19U-110P | IRG7IA19U-110P | Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor |   |
IRG7IA19U-110P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG7IA19U-110P
- 功能描述
IGBT 晶体管
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-24 18:55:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-1-12
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