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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4PF50WD-201P | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 900V 51A 200W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 |   |
IRG4PF50WD-201P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4PF50WD-201P
- 功能描述
IGBT 模块
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-11-24 17:08:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
25+ |
TO-247 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
IR |
21+ |
TO-247 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
IR |
2015+ |
TO-247 |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
|||
IR |
24+ |
TO-247-3 |
64 |
||||
VISHAY |
24+ |
TO-247 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
07+ |
原厂原装 |
5650 |
全新原装 绝对有货 |
|||
IR |
1902+ |
2734 |
代理品牌 |
||||
IR |
17+ |
TO-3P |
6200 |
100%原装正品现货 |
IRG4PF50WD-201P芯片相关品牌
IRG4PF50WD-201P规格书下载地址
IRG4PF50WD-201P参数引脚图相关
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- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRH7130
- IRH7054
- IRH60
- IRH4230
- IRH4150
- IRH4054
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- IRH3150
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
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2020-1-12
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