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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRG4CH40SB | IGBT Die in Wafer Form 文件：22.71 Kbytes Page：1 Pages | IRF |   | |
IRG4CH40SB | IGBT Die in Wafer Form | Infineon 英飞凌 | |
IRG4CH40SB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4CH40SB
- 功能描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | CHIP
更新时间：2025-11-1 17:02:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
SMD |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IR |
TO220-3 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR |
24+ |
TO220-3 |
8 |
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IR |
2025+ |
TO220-3 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
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IR |
22+ |
TO-220 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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ir |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
IRG4CH40SB规格书下载地址
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
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原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
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元器件优质供应
2019-11-1
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