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IRG4BC30KDPBF价格

参考价格：￥5.0478

型号：IRG4BC30KDPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4BC30KDPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC30KDPBF批发/采购报价，IRG4BC30KDPBF行情走势销售排行榜，IRG4BC30KDPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packag

IRF

IRG4BC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG4BC30KDPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 28A 100W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4BC30KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages

IRF

AUIRG4BC30U-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

AUIRG4BC30U-S

IGBT

DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC

ISC

无锡固电

AUIRG4BC30U-SL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

AUIRG4BC30S-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages

IRF

AUIRG4BC30S-SL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4BC30KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IRG4BC30KDPBF供应商更多...

更新时间：2025-11-21 10:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
IRG4BC30KDPBF
IR
24+
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