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IRG4BC30K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C VGE=15V •Conbineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidest

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC

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Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •IndustrystandardD2Pak&TO-262package •Lead-Free,RoHSCompliant •AutomotiveQualified* Benefits •TypicalApplications:SMPS,PFC

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IRG4BC30K-SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30K-SPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 10:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/INFINEON
24+23+
TO-263
12580
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
Infineon Technologies
21+
D2PAK
13880
公司只售原装,支持实单
IR
24+
TO263
5000
全现原装公司现货
IR
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
IR
23+
D2PAK
10000
公司只做原装正品
IR
1226+
TO-263
6400
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
22+
D2PAK
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
Infineon Technologies
23+
D2PAK
9000
原装正品,支持实单
IR
2018+
TO263
6528
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心

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