| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso | WXDH 东海半导体 |   | ||
Fast switching Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
Fast switching Features · Fast switching · 100 avalanche tested · Improved dv/dt capability Application · DC Motor Control and Class D Amplifier · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Automotive | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Low Frequencies 文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages | OSCILENT | | ||
COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS 文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
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插件,D6.3xL17.5mm |
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GOFORD(谷峰) |
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TO-251(I-PAK) |
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IRFZ630参数引脚图相关
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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