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IRFZ48STRL

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Power MOSFET

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IRFZ48STRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ48STRL

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 60V 50 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-10 21:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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TO-263
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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原厂封装
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原装现货
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原装现货,可开13%税票
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

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