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IRFZ48S_V01 | Power MOSFET FEATURES • Advanced process technology • Surface-mount (IRFZ48S, SiHFZ48S) • Low-profile through-hole (SiHFZ48L) • 175 °C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inf | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Power MOSFET 文件：437.28 Kbytes Page：11 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2025-11-26 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
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原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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